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刻蚀离子源
工作原理：在 Remote source 刻蚀过程中，气体分子在离子源中被电离，形成离子和自由基等活性粒子。这些活性粒子在低压条件下被输送到刻蚀室中，与被刻蚀材料表面发生化学反应，从而实现材料的去除。由于 Remote source 刻蚀技术具有较高的选择比和较低的损伤率，因此特别适用于对硅材料进行精细刻蚀。
离子束从离子源发出后，经过电磁透镜聚焦成纳米级束斑。这一过程要求电磁透镜具有极高的性能和精度。扫描系统控制束斑在样品表面的移动轨迹，根据设定的模式，引导离子束逐点或逐行扫描。这使得FIB技术能够在纳米尺度上加工复杂图案和采集高分辨率图像。应用 刻蚀：刻蚀是FIB技术的重要应用之一。
离子源，作为电离中性原子或分子，生成离子束流的装置，在科学和工业领域有着广泛的应用。它构成了离子加速器、质谱仪、电磁同位素分离器、离子注入机、离子束刻蚀装置、离子推进器以及受控聚变装置等关键设备的基石。
离子源的主要作用及分类如下：离子源（英文名称：Ion source）是使中性原子或分子电离，并从中引出离子束流的装置。它是各种类型的离子加速器、质谱仪、电磁同位素分离器、离子注入机、离子束刻蚀装置、离子推进器以及受控聚变装置中的中性束注入器等设备的不可缺少的部件。
